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MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。 M查看詳情>RAM主體結構由三層結構的MTJ（magnetic tunnel junction）構成：自由層（free layer），固定層（fixed layer）和氧化層（Tunneling oxide）。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。STT-MTJ利用自由層和固定層磁矩方向來存儲信息，平行狀態(tài)（parallel），電阻為低阻；非平行狀態(tài)（anti-parallel），電阻為高阻。存儲器讀取電路是通過加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲器的信息。


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