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告別石英：全球首款無(wú)晶體無(wú)線MCU改進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)

2020-05-13 15:11

BAW技術(shù)被評(píng)為高級(jí)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

由于許多MCU會(huì)在易受沖擊和振動(dòng)的環(huán)境（如工廠和汽車(chē)）中工作，因此德州儀器已根據(jù)相關(guān)軍用標(biāo)準(zhǔn)對(duì)CC2652RB進(jìn)行了全方位測(cè)試。軍用標(biāo)準(zhǔn)（MIL）－STD－883H 2002試驗(yàn)方法旨在測(cè)試石英晶體振蕩器的耐用性。本標(biāo)準(zhǔn)會(huì)將半導(dǎo)體器件置于在野蠻裝卸、運(yùn)輸或現(xiàn)場(chǎng)操作時(shí)由突然力或運(yùn)動(dòng)突然變化而引發(fā)的中等或嚴(yán)重的機(jī)械沖擊（加速度峰值為1500 g）下。此類(lèi)沖擊可能會(huì)干擾運(yùn)行特性，或造成類(lèi)似于過(guò)度振動(dòng)導(dǎo)致的損壞，特別是在沖擊脈沖反復(fù)出現(xiàn)的情況下。

圖2所示為MIL－STD－883H的機(jī)械沖擊試驗(yàn)裝置，圖3顯示了CC2652RB與外部晶體解決方案相比的頻率變化。從圖中可以看出，最大頻率偏差約為2 ppm，而外部晶體解決方案在2440 GHz時(shí)的偏差約為7 ppm。

告別石英：全球首款無(wú)晶體無(wú)線MCU改進(jìn)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)計(jì)

圖2：機(jī)械沖擊試驗(yàn)裝置和試驗(yàn)裝置框圖。（圖片來(lái)源：德州儀器）

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圖3：對(duì)比BAW和晶體器件上的機(jī)械沖擊引起的最大無(wú)線電（2440 GHz）頻率偏差（百萬(wàn)分之一）。（圖片來(lái)源：德州儀器）

結(jié)論

BAW技術(shù)通過(guò)減少部分關(guān)鍵設(shè)備（如醫(yī)療設(shè)備）所需的空間，使物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用于高沖擊／振動(dòng)頻率的領(lǐng)域，它是物聯(lián)網(wǎng)不斷發(fā)展、持續(xù)演化的產(chǎn)物。未來(lái)，BAW技術(shù)將廣泛應(yīng)用于眾多領(lǐng)域，讓世界聯(lián)系得更加緊密。

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無(wú)線微控制器物聯(lián)網(wǎng)體聲波